Описание

Метод жидкостной эпитаксии по своей сути ничем не отличается от метода выращивания объемных монокристаллов из растворов. Основным преимуществом метода жидкостной эпитаксии является то, что рост эпитаксиальной пленки происходит при температурах более низких, чем температура плавления исходного вещества. Широкое распространение для выращивания пленок посредством жидкостной эпитаксии получил метод движущегося растворителя. Метод жидкостной эпитаксии (выращивание из раствора) может использоваться и для получения сверхрешеточных структур. Рост слоя достигается охлаждением жидкой фазы, контактирующей с подложкой, ниже температуры насыщения. Сам эпитаксиальный процесс состоит из ряда ростовых операций, в каждой из которых используются различные растворы, состав которых подбирается с целью обеспечить рост требуемых слоев в сверхрешетке. Операции роста чередуются с операциями переноса подложки между различными жидкими фазами, используемыми для выращивания сверхрешетки.

Основные характеристики

• Автоматический и полуавтоматические режимы работы;

• Диапазон рабочих температур: 300 - 1000 °С;
• Диаметр обрабатываемых подложек: 50 – 100 мм;
• Число нагревателей: 3 шт;
• Точность поддержания температуры во время рабочего процесса: ± 3 °С;
• Длина рабочей зоны реактора: 400 мм;
• Время разогрева печи до максимальной рабочей температуры: не более 1,5 часа;
• Габариты системы (могут варьироваться в зависимости от конкретной комплектации):

o длина 4200 мм;
o ширина 800 - 900 мм;
o высота 2400 мм.

Процессы

√ Образование тонких пленок GaAs и.т.п.
√ Получение p-i-n структур арсенид галлиевых диодов;