LPCVD

Установки химического осаждения из газовой фазы при низком давлении

(LPCVD такие как "Изотрон" и.д.р.)

Описание

Установки химического осаждения из газовой фазы предназначены для получения тонких пленок при пониженном давлении в реакционной камере. Установки включают в себя систему управления на основе ПК, программируемые процессы, автоматическую загрузку и комплексную систему блокировок, как самой установки, так и программного обеспечения. Конфигурации системы разнятся, и производится в соответствии с конкретными задачами пользователя. Они включают в себя различные виды нагрева, выбор размера подложек, полупродукта химических реакций, рабочего давления, типов загрузочных камер и др. Применяется в маршрутах изготовления всех типов интегральных микросхем. Установки могут быть усовершенствованы на месте, в соответствии с постоянно растущими новыми требованиями и задачами.

Основные характеристики

• Автоматический и полуавтоматические режимы работы;

• Диапазон рабочих температур: 400 - 900 0С;

• Диаметр обрабатываемых подложек: 76 – 150 мм;

• Количество реакторов : 1 – 4;

• Точность поддержания температуры во время рабочего процесса: ±0,5 - 1,5° С;

• Длина рабочей зоны реактора: 600 - 900 мм;

• Время разогрева печи до максимальной рабочей температуры: не более 2 часов;

• Величина остаточного давления в реакторе: не более 1,3 Па;

• Величина рабочего давления: 5 – 1500 Па;

• Скорость откачки: не менее 50 л/сек;

• Габариты системы (могут варьироваться в зависимости от конкретной комплектации):

o длина 6180 мм;
o ширина 800 - 900 мм;
o высота 2360 мм.

Процессы

√ Отжиг;

√ Восстановление;

√ Гидролиз;

√ Образование карбида и нитрида;

√ Si, SiO2, Ge, GaN итд;