Разработка и изготовление оборудования
для производства изделий радиоэлектронных компонентов

Диффузионные установки


Диффузионные установки (такие как "СДОМ" и.д.р.)


Описание

Диффузионные процессы, процессы, протекающие при перемещении мельчайших частиц вещества (атомов, ионов, молекул) или их комплексов вследствие стремления к равновесному распределению концентрации мигрирующих частиц в данном объёме. При диффузии, например, из газовой фазы пластина полупроводника, обладающего электронной проводимостью, помещается в пары вещества, придающего полупроводнику дырочный характер проводимости и находящегося при температуре на 10-30% ниже температуры плавления полупроводника. Атомы вещества-диффузанта, совершая хаотическое тепловое движение, бомбардируют открытую поверхность полупроводника и проникают вглубь его объёма. Максимальная концентрация атомов создаётся в приповерхностном слое — этот слой приобретает дырочную проводимость. По мере удаления от поверхности концентрация акцепторов падает и в некотором сечении становится равной концентрации доноров. Это сечение будет соответствовать положению р-n-перехода. В слоях, расположенных на большей глубине, преобладают доноры, и полупроводник остаётся электронным. Метод диффузии — основной метод получения р-n-переходов. Так же диффузия используется для получения диэлектрических слоев (в основном оксидов и нитридов) на поверхности подложки. Обычная диффузионная печь способна вмещать и обрабатывать одновременно большое число подложек – несколько десятков (по сравнению, например, с поштучной обработкой при ионной имплантации).

Основные характеристики

• Автоматический и полуавтоматические режимы работы;
• Диапазон рабочих температур: 450 - 1300 °С;
• Диаметр обрабатываемых подложек: 76 – 150 мм;
• Число нагревателей: 1-4 шт;
• Точность поддержания температуры во время рабочего процесса: ± 0,25 °С;
• Длина рабочей зоны реактора: 400 - 900 мм;
• Время разогрева печи до максимальной рабочей температуры: не более 2 часов;
• Габариты системы (могут варьироваться в зависимости от конкретной комплектации):

o длина 4800 - 6000 мм;
o ширина 800 - 900 мм;
o высота 2360 мм.

Процессы

√ Диффузия
√ Отжиг
√ Сухое оксидирование
√ Мокрое оксидирование
√ Вжигание в среде форминг-газа
√ Вжигание в среде 100% водорода
√ Оплавление припоя
√ Легирование p-типа
√ Легирование n-типа
√ Разгонка примеси


Основные направления деятельности

Модернизация оборудования для проведения процессов диффузии, окисления, осаждения (Оксид, СДОМ, ТМХ, Изотрон, Термоком, Изоплаз и д.р)


У нас работает команда профессионалов

На протяжении 25 лет мы разрабатываем и модернизируем оборудование для микроэлектроники


Поддержка клиентов после сдачи проекта

Гарантийное и постгарантийное обслуживание выпускаемого и модернизируемого оборудования.