Разработка и изготовление оборудования
для производства изделий радиоэлектронных компонентов
8 (800) 201 50 34

Сфера нашей деятельности – разработка и изготовление оборудования для производства изделий радиоэлектронных компонентов, а также модернизация существующего оборудования.


Основные направления деятельности:

• диффузионное оборудование;
• оборудование для осаждения пленок из газовой фазы при пониженном давлении с плазменной активацией;
• оборудование для окислительных процессов;
• модернизация оборудования для проведения процессов диффузии, окисления,осаждения (Оксид, СДОМ, ТМХ, Изотрон, Термоком, Изоплаз и д.р);
• Разработка и изготовление оборудования по Техническому заданию;
• Гарантийное и послегаранттийное обслуживание выпускаемого и модернизируемого оборудования.

Нестандартное физико-термическое оборудование, например, для ростовых процессов арсенида галлия, карбида кремния и других оптических и полупроводниковых материалов;
В договоры может быть включена постановка базовых технологий;
Широкие кооперационные связи;
Высокое качество изготовления нестандартных узлов из коррозионно-стойкой нержавеющей стали, сварные изделия отжигаются, сварные швы осветляются;
Нами разработано оборудование для специальных процессов, связанных с изготовлением радиационно-стойких полупроводниковых приборов;
Для процессов термических LPCVD, PECVD разработка устройств для легирования с использованием малотоксичных веществ;
Мы можем предоставить возможность ознакомиться с разработанным нами действующим оборудованием;

Модернизация с систем управления с одновременным переходом на более современные технологические процессы, которые обеспечивают лучшую воспроизводимость, равномерность осаждения и конформность покрытий. Например, для осаждения нитрида кремния используется дихлорсилан взамен моносилана, для пассивации ИС осаждение в плазме двуокиси кремния или ФСС разложением тетраэтоксисилана (ТЭОС) вместо процесса LTO (пиролиз моносилана с окислением кислородом);

На протяжении 25 лет мы разрабатываем и модернизируем оборудование для микроэлектроники
Нами разработано следующее промышленное оборудование:

• установки для осаждения диэлектрических слоев при пониженном давлении (LPCVD);
• установки для низкотемпературного осаждения нитрида кремния и двуокиси кремния с плазменной активацией процесса (PECVD);
• установка для жидкостной эпитаксии арсенида галлия;
• установка для диффузии в кремний лития;

Мы также проводим работы по двум видам модернизации оборудования:

1. После согласования технического задания с заказчиком производится полная замена всей системы управления с минимальной длительностью периода отключения оборудования. Такие работы проведены на диффузионных печах на ВЗПП (г. Воронеж) и в объединении «Интеграл» (г. Минск).
2. Второй вид модернизации включает существенное изменение конструкции установки. Так в ОАО «Кремний» (г. Брянск) и на заводе «Оптрон» (г. Орел) в установках Изотрон 4 один из трех реакторов для осаждения диэлектрических слоев при пониженном давлении заменен на реактор осаждения с плазменной активацией (процесс PE CVD). В Брянске реактор используется для осаждения нитрида кремния, в Орле для осаждения ФСС в системе моносилан-закись азота-фосфин.

Проведена глубокая модернизация установок УВН 74. В результате обеспечивается напыление четырех металлических слоев, из них три магнетронами и один из тигля. Установка оснащена безмасляной откачкой на основе винтового и криогенного насосов (работает в ОАО «Российские космические системы»).

Поскольку ни один заказчик не принимает оборудование до подтверждения его работоспособности в условиях технологического процесса, по согласованию с заказчиком, в объем работ мы включаем постановку базовых технологических процессов.
В разработанных нами установках для осаждения нитрида кремния для фотовольтаики с плазменной активацией и для микроэлектроники в системе моносилан-закись азота мы отработали режим плазменной модуляции. В результате была обеспечена равномерность осаждения на пластинах при длине кассеты 1200 мм.

Нами проводится модернизация оборудования с одновременным переходом на более современные технологические процессы, которые обеспечивают лучшую воспроизводимость, равномерность осаждения и конформность покрытий. Так в ОАО «Российские космические системы» процесс низкотемпературного осаждения двуокиси кремния в системе моносилан-кислород (температура 400С) заменен на плазмохимическое осаждение в системе ТЭОС-кислород (температура 3500С). В результате получен окисел, у которого скорость травления и пробивные напряжения такие же, как у термической двуокиси кремния.


В процессе работы мы используем связи с другими организациями, многое изготавливаем по кооперации, в результате обеспечивается высокое качество изготовления.


Основные направления деятельности

Модернизация оборудования для проведения процессов диффузии, окисления, осаждения (Оксид, СДОМ, ТМХ, Изотрон, Термоком, Изоплаз и д.р)


У нас работает команда профессионалов

На протяжении 25 лет мы разрабатываем и модернизируем оборудование для микроэлектроники


Поддержка клиентов после сдачи проекта

Гарантийное и постгарантийное обслуживание выпускаемого и модернизируемого оборудования.