Современные плазмохимические методы модификации значительно выигрывают в части экологической чистоты по сравнению с химической, при которой используются агрессивные реагенты (кислоты, гидроксиды, щелочноземельные металлы, их соединения).

Плазма представляет исследователю широкий набор химически активных частиц, источником образования которых является не только тепловая, как в классических технологических процессах, энергия, а и энергия внешнего электрического поля. Это обусловливает важную особенность такой системы - её неравновесность: существенным отрывом температуры электронов Т_е от температуры ионов Т_i (Т_е >> Т_i). Если пересчитать среднюю энергию электронов в соответствующие тепловые единицы, то типичные значения "температуры" электронов составят 30 000 - 100 000 K. При этом температура, соответствующая поступательной энергии тяжелых частиц, может мало отличаться от комнатной. Сочетание низкой газовой температуры с высокой химической активностью делают такую плазму перспективным инструментом для обработки нетермостойких материалов.

Прототип ВЧ установки для модификации поверхности твердых тел

Наиболее важной особенностью процесса плазменной модификации материалов, определяющей особый интерес к этому методу, является то, что изменениям подвергается только обрабатываемая поверхность материала и очень тонкий приповерхностный слой, толщина которого, по разным оценкам, составляет от 100 А до нескольких микрон. Основная же масса материала не изменяется, сохраняя механические, физико-химические и электрофизические свойства модифицируемого материала.