Описание

Установки химического осаждения из газовой фазы с плазменной активации (PECVD) предназначены для образования тонких пленок. При использовании в данной технологии плазменной активации осаждаемых веществ (PECVD), увеличивается эффективность и скорость процесса за счет значительного снижения температур (80 - 500 °С). Установки предназначены для осаждения диэлектрических слоев из газовой фазы с плазменной активацией при пониженном давлении на кремниевых пластинах диаметра 100 мм и 150 мм, при производстве изделий электронной промышленности. Установки включают в себя систему управления на основе ПК, программируемые процессы, автоматическую загрузку и комплексную систему блокировок, как самой установки, так и программного обеспечения. Конфигурации системы разнятся, и производится в соответствии с конкретными задачами пользователя. Они включают в себя различные виды нагрева, выбор размера подложек, полупродукта химических реакций, рабочего давления, плазмы, типов загрузочных камер и др. Установки могут быть усовершенствованы на месте, в соответствии с постоянно растущими новыми требованиями и задачами.

Основные характеристики

• Автоматический и полуавтоматические режимы работы;

• Частота генератора: 440 кГц и 13,56 мГц;
• Диапазон рабочих температур: 250 - 500 °С;
• Диаметр обрабатываемых подложек: 100 – 150 мм;
• Количество реакторов : 1 – 4;
• Точность поддержания температуры во время рабочего процесса: ± 3 °С;
• Длина рабочей зоны реактора: 1200 мм;
• Время разогрева печи до максимальной рабочей температуры: не более 2 часов;
• Величина остаточного давления в реакторе: 3 Па;
• Величина рабочего давления: 25 – 150 Па;
• Габариты системы (могут варьироваться в зависимости от конкретной комплектации):

o длина 6000 мм;
o ширина 800 - 900 мм;
o высота 2400 мм.

Процессы

√ Отжиг;
√ Восстановление;
√ Гидролиз;
√ Образование карбида и нитрида;
√ Si, SiO2, Si3N4, ФСС итд;