Описание

Установки химического осаждения из газовой фазы предназначены для получения тонких пленок при пониженном давлении в реакционной камере. Установки включают в себя систему управления на основе ПК, программируемые процессы, автоматическую загрузку и комплексную систему блокировок, как самой установки, так и программного обеспечения. Конфигурации системы разнятся, и производится в соответствии с конкретными задачами пользователя. Они включают в себя различные виды нагрева, выбор размера подложек, полупродукта химических реакций, рабочего давления, типов загрузочных камер и др. Применяется в маршрутах изготовления всех типов интегральных микросхем. Установки могут быть усовершенствованы на месте, в соответствии с постоянно растущими новыми требованиями и задачами.

Основные характеристики

• Автоматический и полуавтоматические режимы работы;
• Диапазон рабочих температур: 400 - 900 0С;
• Диаметр обрабатываемых подложек: 76 – 150 мм;
• Количество реакторов : 1 – 4;
• Точность поддержания температуры во время рабочего процесса: ±0,5 - 1,5° С;
• Длина рабочей зоны реактора: 600 - 900 мм;
• Время разогрева печи до максимальной рабочей температуры: не более 2 часов;
• Величина остаточного давления в реакторе: не более 1,3 Па;
• Величина рабочего давления: 5 – 1500 Па;
• Скорость откачки: не менее 50 л/сек;
• Габариты системы (могут варьироваться в зависимости от конкретной комплектации):

o длина 6180 мм;
o ширина 800 - 900 мм;
o высота 2360 мм.

Процессы

√ Отжиг;

√ Восстановление;

√ Гидролиз;

√ Образование карбида и нитрида;

√ Si, SiO2, Ge, GaN итд;