Описание

Диффузионные процессы, процессы, протекающие при перемещении мельчайших частиц вещества (атомов, ионов, молекул) или их комплексов вследствие стремления к равновесному распределению концентрации мигрирующих частиц в данном объёме. При диффузии, например, из газовой фазы пластина полупроводника, обладающего электронной проводимостью, помещается в пары вещества, придающего полупроводнику дырочный характер проводимости и находящегося при температуре на 10-30% ниже температуры плавления полупроводника. Атомы вещества-диффузанта, совершая хаотическое тепловое движение, бомбардируют открытую поверхность полупроводника и проникают вглубь его объёма. Максимальная концентрация атомов создаётся в приповерхностном слое — этот слой приобретает дырочную проводимость. По мере удаления от поверхности концентрация акцепторов падает и в некотором сечении становится равной концентрации доноров. Это сечение будет соответствовать положению р-n-перехода. В слоях, расположенных на большей глубине, преобладают доноры, и полупроводник остаётся электронным. Метод диффузии — основной метод получения р-n-переходов. Так же диффузия используется для получения диэлектрических слоев (в основном оксидов и нитридов) на поверхности подложки. Обычная диффузионная печь способна вмещать и обрабатывать одновременно большое число подложек – несколько десятков (по сравнению, например, с поштучной обработкой при ионной имплантации).

Основные характеристики

• Автоматический и полуавтоматические режимы работы;
• Диапазон рабочих температур: 450 - 1300 °С;
• Диаметр обрабатываемых подложек: 76 – 150 мм;
• Число нагревателей: 1-4 шт;
• Точность поддержания температуры во время рабочего процесса: ± 0,25 °С;
• Длина рабочей зоны реактора: 400 - 900 мм;
• Время разогрева печи до максимальной рабочей температуры: не более 2 часов;
• Габариты системы (могут варьироваться в зависимости от конкретной комплектации):

o длина 4800 - 6000 мм;
o ширина 800 - 900 мм;
o высота 2360 мм.

Процессы

√ Диффузия
√ Отжиг
√ Сухое оксидирование
√ Мокрое оксидирование
√ Вжигание в среде форминг-газа
√ Вжигание в среде 100% водорода
√ Оплавление припоя
√ Легирование p-типа
√ Легирование n-типа
√ Разгонка примеси